产品特点与铌酸锂MZM器件相比,InP基MZM具有体积小巧、半波电压低的独特优势。本产品具备优异的防静电能力,可在恶劣的环境中长期可靠工作。
应用领域微波光子、模拟光纤链路
主要指标
指标
性能
调制带宽
≥ 20 GHz
插入损耗
≤ 8.5 dB
半波电压
≤ 2 V
工作波长
1527 - 1568 nm
S11
≤ -10 dB
消光比
≥ 20 dB
耐受光功率
≤ 40 mW
测试数据曲线
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